Ho:YAG - Воситаи муассир барои тавлиди 2.1-μm лазерӣ
Тавсифи Маҳсулот
Термокератопластикаи лазерӣ (LTK) дар солҳои охир босуръат инкишоф ёфт. Принсипи асосӣ ин аст, ки эффекти фототермалии лазерро истифода барад, то нахҳои коллаген дар атрофи қаҳваранг кам шавад ва каҷшавии марказии чашм ба куртоз табдил ёбад, то ба ҳадафи ислоҳи гиперопия ва астигматизми гиперопикӣ ноил шавад. Лазери Холмиум (лазери Ho:YAG) воситаи беҳтарин барои LTK ҳисобида мешавад. Дарозии мавҷи лазерии Ho:YAG 2.06μm аст, ки ба лазери миёнаи инфрасурх тааллуқ дорад. Он метавонад аз ҷониби бофтаи чашм ба таври муассир ҷаббида шавад ва намии шоха метавонад гарм карда шавад ва нахҳои коллаген кам карда шаванд. Пас аз фотокоагулятсия, диаметри минтақаи коагулятсияи сатҳи шохдор тақрибан 700 мкм ва умқи он 450 мкм аст, ки танҳо як масофаи бехатар аз эндотелияи шохдор аст. Аз он даме, ки Сейлер ва дигарон. (1990) бори аввал лазерии Ho:YAG ва LTK-ро дар таҳқиқоти клиникӣ татбиқ карданд, Томпсон, Дурри, Алио, Кох, Гезер ва дигарон пай дар пай натиҷаҳои тадқиқоти худро гузориш доданд. Дар амалияи клиникӣ лазерии Ho:YAG LTK истифода шудааст. Усулҳои шабеҳи ислоҳи гиперопия аз кератопластикаи радиалӣ ва лазерии эксимерии PRK иборатанд. Дар муқоиса бо кератопластикаи радиалӣ, Ho:YAG пешгӯии LTK бештар ба назар мерасад ва ворид кардани зондро ба шохаи чашм талаб намекунад ва некрозии бофтаи шохдорро дар минтақаи термокоагуляция ба вуҷуд намеорад. Эксимерии лазерии гиперопикӣ PRK танҳо диапазони чашми чашми марказии 2-3мм бе аблятсияро мегузорад, ки ин метавонад нисбат ба Хо боиси нобиноӣ ва дурахши шабонатар шавад: YAG LTK диапазони шохаҳои марказии 5-6мм. Ho:YAG Ho3+-ро тарк мекунад, ки ба лазери изолятсия омехта карда мешавад. кристаллҳо 14 каналҳои лазерии байниманикодро намоиш доданд, ки дар режимҳои муваққатӣ аз CW то режими қулфшуда кор мекунанд. Ho:YAG маъмулан ҳамчун воситаи муассир барои тавлиди 2,1 мкм партовҳои лазерӣ аз гузариши 5I7- 5I8 барои барномаҳо ба монанди ташхиси дурдасти лазерӣ, ҷарроҳии тиббӣ ва насоси OPO Mid-IR барои ноил шудан ба партоби 3-5 микрон истифода мешавад. Системаҳои насосии мустақими диод ва Tm: Системаҳои насосии нахи лазерӣ[4] самаранокии нишебии баландро нишон доданд, ки баъзеи онҳо ба ҳадди назариявӣ наздик мешаванд.
Хусусиятҳои асосӣ
| Диапазони консентратсияи Ho3+ | 0,005 - 100 атомӣ % |
| Дарозии мавҷҳои эмиссия | 2,01 ум |
| Гузариши лазерӣ | 5I7 → 5I8 |
| Давомнокии умри флюрессия | 8,5 мс |
| Дарозии мавҷи насос | 1,9 ум |
| Коэффисиенти васеъшавии гармӣ | 6,14 х 10-6 К-1 |
| Диффузияи гармӣ | 0,041 см2 с-2 |
| Кобилияти гармигузаронӣ | 11,2 Вт м-1 К-1 |
| Гармии хос (Cp) | 0,59 Дж г-1 К-1 |
| Муқовимат ба зарбаи гармӣ | 800 Вт м-1 |
| Индекси рефрактивӣ @ 632,8 нм | 1,83 |
| dn/dT (Коэффисиенти гармии Индекси рефрактивӣ) @ 1064 нм | 7,8 10-6 К-1 |
| Вазни молекулавӣ | 593,7 г моль-1 |
| Нуқтаи обшавӣ | 1965℃ |
| Зичии | 4,56 грамм см-3 |
| Сахтии MOHS | 8.25 |
| Модули ҷавон | 335 Гпа |
| Устувории кашишӣ | 2 Гпа |
| Сохтори кристаллӣ | мукааб |
| Самти стандартӣ | |
| Y3+ симметрияи сайт | D2 |
| Шабакаи доимӣ | a=12,013 Å |
