ZnGeP2 - Оптикаи ғайрихаттии инфрасурх
Тавсифи Маҳсулот
Ба шарофати ин хосиятҳои беназир, он ҳамчун яке аз масолеҳи ояндадор барои барномаҳои оптикии ғайрихаттӣ маълум аст. ZnGeP2 метавонад лазери доимии танзимшавандаи 3-5 мкм тавлид кунад, ки тавассути технологияи ларзиши оптикии параметрӣ (OPO) бароварда мешавад. Лазерҳое, ки дар равзанаи интиқоли атмосфераи 3-5 мкм кор мекунанд, барои бисёр барномаҳо, аз қабили ченаки муқобили инфрасурх, мониторинги кимиёвӣ, дастгоҳҳои тиббӣ ва зеҳни масофа аҳамияти бузург доранд.
Мо метавонем сифати баланди оптикии ZnGeP2-ро бо коэффисиенти хеле пасти азхудкунии α < 0,05 см-1 (дар дарозии мавҷҳои насосӣ 2,0-2,1 мкм) пешниҳод кунем, ки онро барои тавлиди лазери танзимшавандаи миёнаи инфрасурх бо самаранокии баланд тавассути равандҳои OPO ё OPA истифода бурдан мумкин аст.
Иқтидори мо
Технологияи Динамикии Ҳарорати Майдон барои синтез кардани поликристалии ZnGeP2 сохта ва татбиқ карда шуд. Тавассути ин технология дар як давра зиёда аз 500 грамм поликристалии баландсифати ZnGeP2 бо донаҳои азим синтез карда шуд.
Усули уфуқии градиенти яхкунӣ дар якҷоягӣ бо технологияи гарданбандии самт (ки метавонад зичии дислокатсияро самаранок паст кунад) барои афзоиши сифати баланди ZnGeP2 бомуваффақият татбиқ карда мешавад.
Дар сатҳи баландсифати ZnGeP2 дар сатҳи килограмм бо диаметри калонтарин дар ҷаҳон (Φ55 мм) бо усули Vertical Gradient Freeze бомуваффақият парвариш карда шуд.
Ноҳамворӣ ва ҳамвории дастгоҳҳои кристалл, мутаносибан камтар аз 5Å ва 1/8λ, тавассути технологияи коркарди хуби сатҳи дом ба даст оварда шудааст.
Инҳирофшавии кунҷи ниҳоии дастгоҳҳои кристалл аз ҳисоби истифодаи самти дақиқ ва техникаи буриши дақиқ камтар аз 0,1 дараҷа аст.
Таҷҳизоти дорои иҷрои аъло аз сабаби сифати баланди кристалҳо ва технологияи коркарди кристаллҳо дар сатҳи баланд ба даст оварда шудаанд (Лазери танзимшавандаи 3-5μm миёнаравӣ бо самаранокии табдилдиҳӣ аз 56% ҳангоми насоси нури 2μm тавлид шудааст. сарчашма).
Гурӯҳи тадқиқотии мо тавассути ҷустуҷӯи пайваста ва навовариҳои техникӣ, технологияи синтези поликристалии ZnGeP2-ро бомуваффақият азхуд кард, технологияи афзоиши андозаи калон ва сифати баланди ZnGeP2 ва ориентацияи кристаллӣ ва технологияи коркарди дақиқи баланд; метавонад дастгоҳҳои ZnGeP2 ва кристаллҳои аслии парваришшударо дар миқёси оммавӣ бо якрангии баланд, коэффисиенти пасти азхудкунӣ, устувории хуб ва самаранокии баланди табдилдиҳӣ таъмин намояд. Ҳамзамон, мо маҷмӯи пурраи платформаи санҷиши кристаллро таъсис додем, ки ба мо имкон медиҳад, ки барои муштариён хидматҳои санҷиши кристаллро пешниҳод кунем.
Барномаҳо
● Насли дуюм, сеюм ва чоруми гармоникии CO2-лазер
● Насли оптикии параметрӣ бо обкашӣ дар дарозии мавҷи 2,0 мкм
● Насли дуюми гармоникии CO-лазер
● Истеҳсоли радиатсияи когерентӣ дар диапазони субмиллиметрӣ аз 70,0 мкм то 1000 мкм
● Дар минтақаи шаффофияти кристалл тавлиди басомадҳои омехтаи радиатсияи CO2 ва CO-лазерҳо ва дигар лазерҳо кор мекунанд.
Хусусиятҳои асосӣ
| химиявй | ZnGeP2 |
| Симметрияи кристалл ва синф | тетрагонал, -42м |
| Параметрҳои тор | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Зичии | 4,162 г/см3 |
| Сахтии Mohs | 5.5 |
| Синфи оптикӣ | Яксони мусбат |
| Диапазони интиқоли муфид | 2,0 ум - 10,0 ум |
| Кобилияти гармигузаронӣ @ T= 293 К | 35 Вт/м∙К (⊥c) 36 Вт/м∙К (∥ c) |
| Тавсеаи гармидиҳӣ @ T = 293 К то 573 К | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Параметрҳои техникӣ
| Таҳаммулпазирии диаметр | +0/-0,1 мм |
| Таҳаммулпазирии дарозӣ | ±0,1 мм |
| Таҳаммулпазирии ориентация | <30 arcmin |
| Сифати рӯизаминӣ | 20-10 СД |
| Ҳамворӣ | <λ/4@632.8 nm |
| Параллелизм | <30 камон |
| Перпендикулярӣ | <5 армин |
| Чамфер | <0,1 мм x 45° |
| Диапазони шаффофият | 0,75 - 12,0 ?м |
| Коэффисиентҳои ғайрихаттӣ | d36 = 68,9 pm/V (дар 10,6 мкм) d36 = 75,0 pm/V (дар 9,6 мкм) |
| Ҳадди зарар | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
