Nd: YVO4 - Диодҳои насосии лазерҳои ҳолати сахти тасвиршуда

Nd: YVO4 - Лазерҳои сахти диодӣ

Тавсифи кӯтоҳ:

Nd: YVO4 яке аз кристаллҳои муассири лазерӣ мебошад, ки ҳоло барои лазерҳои лазерии диодӣ мавҷуд аст.Nd: YVO4 як кристали олӣ барои лазерҳои пурқуввати баланд, устувор ва камхарҷ аст.

Ҳоло пурсед Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Тавсифи Маҳсулот

Nd: YVO4 метавонад лазерҳои пуриқтидор ва устувори IR, сабз, кабудро бо тарҳи Nd: YVO4 ва кристалҳои дучандшавии басомад истеҳсол кунад.Барои барномаҳое, ки дар онҳо тарҳи бештари паймон ва баромади як ҳолати дарозӣ лозим аст, Nd: YVO4 бартариҳои хоси худро нисбат ба дигар кристаллҳои лазерии маъмулан истифодашаванда нишон медиҳад.

Афзалиятҳои Nd: YVO4

● Ҳадди пасти lasing ва самаранокии нишебии баланд
● Кисми зиёди партобҳои ҳавасмандшуда дар дарозии мавҷ
● Азхудкунии баланд бар фарохмаҷрои васеъи мавҷҳои обкашӣ
● Оптикӣ якаксиалӣ ва дубурии калон лазери поляризатсияро мебарорад
● Вобастагии паст аз дарозии мавҷи обкашӣ ва майл ба баромади як ҳолати

Хусусиятҳои асосӣ

Зичии атом	~1,37x1020 атом/см2
Сохтори кристаллӣ	Zircon Tetragonal, гурӯҳи фазои D4h, a=b=7,118, c=6,293
Зичии	4,22 г/см2
Сахтии Mohs	Ба шиша монанд, 4,6 ~ 5
Тавсеаи гармидиҳӣ Коэффисиент	αa=4.43x10-6/K,αc=11.37x10-6/K
Нуқтаи обшавӣ	1810 ± 25 ℃
Лазинги дарозии мавҷҳо	914нм, 1064нм, 1342нм
Оптикии гармидиҳӣ Коэффисиент	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Эмиссияи ҳавасмандшуда Бахшҳои Фароӣ	25,0х10-19 см2, @1064 нм
Флуоресцент Умр	90 ms (тақрибан 50 мс барои 2 atm% Nd doped) @ 808 нм
Коэффисиенти абсорбсия	31,4 см-1 @ 808 нм
Дарозии абсорбсия	0,32 мм @ 808 нм
Талафоти дохилӣ	Камтар 0,1% см-1, @1064 нм
Ба даст овардани фарохмаҷро	0,96 нм (257 ГГц) @ 1064 нм
Лазери поляризатсияшуда Пардохт	параллел ба меҳвари оптикӣ (c-меҳвар)
Диод насос карда мешавад Оптикӣ ба оптикӣ Самаранокӣ	> 60%
Муодилаи Sellmeier (барои кристаллҳои холиси YVO4)	нест2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
	нест2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Параметрҳои техникӣ

Консентратсияи Nd dopant	0,2 ~ 3 атм%
Таҳаммулпазирии маводи мухаддир	дар ҳудуди 10% консентратсияи
Дарозӣ	0,02 ~ 20мм
Мушаххасоти пӯшиш	AR @ 1064nm, R<0.1% & HT @ 808nm, T>95%
	HR @ 1064nm, R>99.8% ва HT@ 808nm, T>9%
	HR @ 1064 нм, R>99,8%, HR @ 532 нм, R>99% & HT @ 808 нм, T>95%
Ориентация	самти кристаллии буриш (+/-5 ℃)
Таҳаммулпазирии андозагирӣ	+/- 0,1 мм (муқаррарӣ), дақиқии баланд +/- 0,005 мм мумкин аст бо дархост дастрас бошад.
Таҳрифи пеши мавҷҳо	<λ/8 дар 633нм
Сифати рӯизаминӣ	Беҳтар аз 20/10 Scratch/Dig барои MIL-O-1380A
Параллелизм	< 10 сония камон